为推动国内电子基础材料的进步，本公司已经开发电子封装热控制符合金属材料--CIC与CMC。它是将低热膨胀系数的材料与高导热的材料通过用物理冶金结合的方法制成的，该材料具有高热导、低膨胀系数（并可调整）、高强度的综合特性。实践证明，正是由于其上述特别的热匹配性好的特点，相比其它材料如芯片、氧化铝陶瓷等进行封装时，大大降低了失败率（几乎为零），并且避免了使用过程中反复热冲击产生热应力的可能性，使元器件的可靠性大为提高。

    该系列材料的性能表见表1，同时列出电子封装常规材料纯Mo的性能。从表中的对比可看出，CIC-1材料（目前已批量推出市场）的性能与纯钼十分接近，且比重小，钎焊锡性能极佳（可省去Mo镀镍复杂工序)。因此CIC-1做为热沉、上下引极（过桥）、引线框架等材料已应用于电力电子（如可控硅、晶闸管模块、大功率固态继电器）、HIC及印刷电路基板、集成电路封装等许多领域。尤其值得一提的是，该材料价格较纯钼低廉得多。

 

电子封装热控制复合金属材料性能表

产品形式

本公司提供的该系列材料主要有下列两种形式

1）	成卷带材；
2）	冲压片件。目前已提供给各类用户有圆片、方片、特殊折弯型等20余种。另可根据各用户的特殊要求进行材料设计与制造。（如在材料上覆钎焊层）。

应用